Логин:

Пароль:

  

Регистрация | Забыли пароль 

Главная

О компании | О проекте | РУБРИКАТОР | Услуги | Реклама | Прайс | Заказ | Контакты

ИНФОРМАЦИОННЫЙ

РЕСУРС (Поиск-помощь)

Каталоги ИННОВАЦИЙ на USB-флеш накопителе

БАНК ДАННЫХ

добавить

ИННОВАЦИИ

38690

ПРОДУКЦИЯ

4770

УСЛУГИ

2971

ПРЕДПРИЯТИЯ

добавить

16774

ПАРТНЕРЫ ИнфоНТР

 

ОБМЕН ССЫЛКАМИ

 

Печатные СМИ

 

ВЫСТАВКИ

 

САЙТЫ

добавить

635

КОММЕРЦИЯ

добавить

ПРОДАЖА

0

ПОКУПКА

0

БИЗНЕС

добавить

ПРОДАЖА

0

ПОКУПКА

0

ИННОВАЦИОННАЯ СФЕРА

Новости. Статьи.
Дайджесты. Проекты


РАЗРАБОТКИ, ТЕХНОЛОГИИ, НОВЫЕ ИЛИ МОДЕРНИЗИРОВАННЫЕ ИЗДЕЛИЯ, ПРОЦЕССЫ, СПОСОБЫ, МЕТОДЫ

I. Контекстный поиск: 

 
Введите слово или фразу для поиска

ЦИФРОВОЕ УСТРОЙСТВО АВТОМАТИКИ ЛИКВИДАЦИИ АСИНХРОННЫХ РЕЖИМОВ

Для выявления асинхронных режимов устройство содержит четыре выявительных органа: •угловой выявительный орган (УВО), •цикловой выявительный орган (ЦВО), •токовый выявительный орган (ТВО), •выявительный орган, фиксирующий переход генератора в асинхронный режим во ...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

 

 

Найдено 7 публикаций

ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА. НАНОЭЛЕКТРОНИКА. ТЕХНОЛОГИИ => Наноэлектроника => Полупроводниковые наноструктуры

[1]

ОСОБЕННОСТИ РОСТА ПЛЕНОК КРЕМНИЯ НА АЛМАЗНЫХ ПОДЛОЖКАХ

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены монокристаллические гетероэпитаксиальные пленки кремния с поверхностью 7х7 на чистой поверхности алмаза. Продемонстрированы возможности управления структурным состоянием пленок Si на алмазных подложках путем изменения температуры подложки и потока кремния непосредственно в ходе процесса роста. Найдены ...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Самоохлаждение активной области излучающих гетероструктур

В институте предложен (получено 5 авторских свидетельств) и исследован новый тип полупроводниковых излучающих гетероструктур, в которых обнаружено неизвестное ранее явление - самоохлаждение активной области. Излучательная рекомбинация в таких структурах, состоящих из нескольких слоев с различным составом и легированием, сопровождается в условиях мн...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Технологии - Производство квантовых точек

Производство квантовых точек основано на запатентованной технологии коллоидного синтеза, которая позволяет производить нанокристаллы с заданными характеристики в субкилограммовых количествах.
Технология состоит из двух ключевых процессов:
•- формирования полупроводниковых структур
•- синтеза функциональных полимеров и модификац...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE ICPe 45

Назначение:
Установка предназначена для проведения плазменных процессов травления – от реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности – кремния, нитридов и арсенидов металлов III группы, диэлектрических пленок нитрида и оксидов кремния, Si-Ge и других материалов в широком диапазоне основных технологических параметров (...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка нанесения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме STE ICPd 47

Установка нанесения диэлектриков в Назначение:
Установка предназначена для проведения стимулированных плазмой процессов осаждения покрытий с использованием моносилана в качестве основного реагента. Установка обеспечивает осаждения высококачественных покрытий SiO2, SixNy, SiOxNy в температурном диапазоне 100-400 оС (650 оС в модификации для н...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка термического отжига в управляемой газовой среде STE ThA 49

Назначение:
Установка предназначена для быстрого прецизионного термического отжига полупроводниковых пластин диаметром до 100 мм в диапазоне температур от 400 °С до 1000 °С в инертной/окислительной газовой атмосфере или вакууме. Состав газовой среды и продолжительность выдержки при высокой температуре зависит от модификации изделия.
...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка электронно-лучевого напыления STE EB 48

Назначение:
Установка электронно-лучевого напыления STE EB 48 предназначена для напыления тонких пленок различных материалов в сверхвысоком вакууме на подложку диаметром до 150 мм или нескольких подложек меньшего размера с использованием соответствующего адаптера.
Oбласть применения:
Областью применения установки электронно-луч...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

[1]

 

АКТУАЛЬНЫЕ ИННОВАЦИОННЫЕ ПРОДУКТЫ

ИННОВАЦИОННЫЕ ПРОДУКТЫ

КАТАЛОГИ ИННОВАЦИЙ на USB-флеш

ИННОВАЦИОННАЯ СФЕРА

Copyright 2002-2020
ООО "Издательство "КОВЧЕГ и Ко" (Центр Научно-Технической Информации "ПРОМЕТЕЙ").
Все права защищены