Логин:

Пароль:

  

Регистрация | Забыли пароль 

Главная

О компании | О проекте | РУБРИКАТОР | Услуги | Реклама | Прайс | Заказ | Контакты

ИНФОРМАЦИОННЫЙ

РЕСУРС (Поиск-помощь)

Каталоги ИННОВАЦИЙ на USB-флеш накопителе

БАНК ДАННЫХ

добавить

ИННОВАЦИИ

38690

ПРОДУКЦИЯ

4770

УСЛУГИ

2971

ПРЕДПРИЯТИЯ

добавить

16774

ПАРТНЕРЫ ИнфоНТР

 

ОБМЕН ССЫЛКАМИ

 

Печатные СМИ

 

ВЫСТАВКИ

 

САЙТЫ

добавить

635

КОММЕРЦИЯ

добавить

ПРОДАЖА

0

ПОКУПКА

0

БИЗНЕС

добавить

ПРОДАЖА

0

ПОКУПКА

0

ИННОВАЦИОННАЯ СФЕРА

Новости. Статьи.
Дайджесты. Проекты


РАЗРАБОТКИ, ТЕХНОЛОГИИ, НОВЫЕ ИЛИ МОДЕРНИЗИРОВАННЫЕ ИЗДЕЛИЯ, ПРОЦЕССЫ, СПОСОБЫ, МЕТОДЫ

I. Контекстный поиск: 

 
Введите слово или фразу для поиска

ЦИФРОВОЕ УСТРОЙСТВО АВТОМАТИКИ ЛИКВИДАЦИИ АСИНХРОННЫХ РЕЖИМОВ

Для выявления асинхронных режимов устройство содержит четыре выявительных органа: •угловой выявительный орган (УВО), •цикловой выявительный орган (ЦВО), •токовый выявительный орган (ТВО), •выявительный орган, фиксирующий переход генератора в асинхронный режим во ...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

 

 

Найдено 147 публикаций

ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА. НАНОЭЛЕКТРОНИКА. ТЕХНОЛОГИИ => Технологии и оборудование в электронном и радиотехническом производстве. Утилизация

 11 12 [13] 14 15

Установка для измерения астигматизма лазерных диодов

Преобладающим типом аберраций волновых фронтов (ВФ) лазерных диодов является астигматизм, который обусловлен сильной асимметрией активной области и различием механизмов бокового и поперечного ограничения поля внутри лазерного волновода. Интерферометрические методики измерения ВФ не различают причин появления астигматизма. Однако производителям полу...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка для неразрушающих испытаний качества металлизации сквозных отверстий печатных плат. New!

Исключено разрушение некачественного отверстия за счет использования запатентованного "ноу-хау". За одно контактирование с проверяемым отверстием производятся: измерение омического сопротивления слоя металлизации, подача испытательного тока, повторное измерение омического сопротивления слоя металлизации. По изменению сопротивления судят о качестве ...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка импульсного отверждения ультрафиолетовых композиций в нейтральной газовой среде

Не выделяется озон, относящийся к 1-й группе опасности. Не требуется вытяжная вентиляция. Габаритные размеры в 2 раза меньше, чем у существующего оборудования. Установленная мощность в 3-7 раз меньше по сравнению с прототипами.

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка индуктивно-связанного реактивного ионного травления STE ICPe 45

Назначение:
Установка предназначена для проведения плазменных процессов травления – от реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности – кремния, нитридов и арсенидов металлов III группы, диэлектрических пленок нитрида и оксидов кремния, Si-Ge и других материалов в широком диапазоне основных технологических параметров (...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка контроля топологии промежуточных шаблонов ЭМ-6029Б

Контроль топологии на фотошаблоне производится методом сравнения оптического изображения с проектными данными (die-to-database). Метод die-to-database позволяет обнаруживать дефекты всех типов, а также пригоден для контроля любых топологий на фотошаблонах, что делает установку ЭМ-6029Б универсальным средством для автоматического обнаружения дефекто...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка лазерной обработки ЭМ-250А

Установка предназначена для скрайбирования кремниевых пластин, сквозной резки по заданному контуру и сверления отверстий в пластинах из кремния, алюмокерамики и других материалов, используемых в микроэлектронике. Толщина обрабатываемых пластин до 2 мм.
Обработка осуществляется посредством автоматического перемещения линейно-шаговым приводом ...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка магнетронного распыления STE MS 46

Назначение:
Установка магнетронного распыления STE MS 46 предназначена для напыления тонких пленок различных материалов в сверхвысоком вакууме на подложку диаметром до 150 мм или нескольких подложек меньшего размера с использованием соответствующего адаптера.
Oбласть применения:
Областью применения установки электронно-лучевого...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка МПЭ для выращивания классических соединений А3В5 и А2В6 "STE 3532"

Область применения
STE 3532 – установка МПЭ, разработанная с учетом всех требований, предъявляемых к оборудованию, предназначенному как для фундаментальных, так и для прикладных научных исследований. Будучи системой, построенной по принципу «lab-to-fab», STE 3532 отвечает требованиям, выдвигаемым при переходе от научно-исследовательских разр...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы "STE3N3"

Областью применения установки молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N3 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных структур.
Конструкция установки STE3N3 допускает возможность вакуумно плотной стыковки с другими вакуумными камерами и уста...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

Установка нанесения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме STE ICPd 47

Установка нанесения диэлектриков в Назначение:
Установка предназначена для проведения стимулированных плазмой процессов осаждения покрытий с использованием моносилана в качестве основного реагента. Установка обеспечивает осаждения высококачественных покрытий SiO2, SixNy, SiOxNy в температурном диапазоне 100-400 оС (650 оС в модификации для н...Полное описание..>

О предприятии

Сайт предприятия

Доступ к полному описанию публикаций и контактным сведениям платный - через пароль доступа

Приобретайте КАТАЛОГИ на CD, в которых Вы найдете необходимые сведения.

 11 12 [13] 14 15

 

АКТУАЛЬНЫЕ ИННОВАЦИОННЫЕ ПРОДУКТЫ

ИННОВАЦИОННЫЕ ПРОДУКТЫ

КАТАЛОГИ ИННОВАЦИЙ на USB-флеш

ИННОВАЦИОННАЯ СФЕРА

Copyright 2002-2020
ООО "Издательство "КОВЧЕГ и Ко" (Центр Научно-Технической Информации "ПРОМЕТЕЙ").
Все права защищены